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1500V N-Ch 하이 평면 MOSFET PTH03N150

1500V N-Ch 하이 평면 MOSFET 전원 MOSFET -PTH03N150 일반적인 특징 ROHS 준수  r ds (on), 유형. = 5.4 Ω@V gs = 10V  낮은 게이트 전하 스위칭 손실을 최소화합니다  빠른 복구 바디 다이오드 응용 프로그램  어댑터  충전기 smps 대기 전원 절대 최대 값  등급 * 금속 산화물-비도체 전계 효과 트랜지스터 인 MOSFET 은 더 넓은 범주의 전자 구성 요소 내의 전압 제어 반도체...

SAM212M10BF1 1200V 10A 3 상 모터 드라이버 모듈

1200V 10A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SAM212M10BF1 설명 SAM212M10BF1은 출력 트랜지스터, 사전 드라이브 회로, 전류 제한 저항이있는 부트 스트랩 다이오드 및 온도 감지 서미스터가 고도로 통합되는 3 상 브러시리스 모터 드라이버입니다 . IC 는 산업 장비와 같은 장치의 3 상 모터를 운전하는 데 적합합니다 . 특징 ● PB-free (ROHS 준수) ● 분리 전압 : 2500 V (1 분) UL-...

600V 20A 3 상 IPM 모듈 SIM2-202B

600V 20A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SIM2-202B 설명 SIM2-202B는 전류 제한 저항이있는 트랜지스터, 사전 드라이브 회로 및 부트 스트랩 다이오드가 고도로 통합되는 고전압 3 상 모터 드라이버입니다 . 이 제품은 3 차선 전류 감지 시스템에서 실행될 수 있으며 범용 입력 표준이 필요한 중간 용량 모터의 인버터 시스템을 최적으로 제어 할 수 있습니다. 제품은 소형을 사용합니다 DIP40 패키지 및 20 A의...

모터 드라이브 용 SIM6897M 600V 지능형 전원 모듈

600V 10A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SIM6897M 설명 SIM6897M은 트랜지스터, 사전 드라이브 회로 및 부트 스트랩 회로 (다이오드 및 저항)가 고도로 통합되는 고전압 3 상 모터 드라이버입니다 . 이 제품은 범용 입력 표준이 필요한 저용량 대용량 모터의 인버터 시스템을 최적으로 제어 할 수 있습니다 . 특징 ● PB-free (ROHS 준수) ● 온도 감지 기능 ● 전류 제한 저항이있는 내장 부트 스트랩...

600V 고전압 3 상 모터 드라이버 SCM1272MF

600V 15A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SCM1272MF 설명 SCM1272MF는 트랜지스터, 사전 드라이브 회로 및 부트 스트랩 회로 (다이오드 및 저항)가 고도로 통합되는 고전압 3 상 모터 드라이버입니다 . 이 제품은 3 차선 전류 감지 시스템에서 실행될 수 있으며 범용 입력 표준이 필요한 중간 용량 모터 의 인버터 시스템을 최적으로 제어 할 수 있습니다 . 특징 ● 온도 감지 기능 ● 비정상적인 오퍼레이션의 경우...

650V 50A 3 상 모터 드라이버 SAM265M50BS3

650V 50A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SAM265M50BS3 설명 SAM265M50BS3 은 출력 트랜지스터, 사전 드라이브 회로, 전류 제한 저항이있는 부트 스트랩 다이오드 및 온도 감지 서미스터가 고도로 통합되는 3 상 브러시리스 모터 드라이버입니다 . IC는 산업 장비와 같은 장치의 3 상 모터를 운전하는 데 적합합니다. 명세서 ● 고장 전압 : 650 v ● 출력 전류 : 50 a 특징 ● PB-free (ROHS...

650V 50A 3 상 모터 드라이버 SAM265M50AA1

650V 50A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -SAM265M50AA1 설명 SAM265M50AA1은 출력 트랜지스터, 사전 드라이브 회로, 전류 제한 저항이있는 부트 스트랩 다이오드 및 온도 감지 서미스터가 고도로 통합되는 3 상 브러시리스 모터 드라이버입니다 . ICS는 자동차 고전압 보조 장비 시스템의 3 상 모터를 구동하는 데 적합합니다 . 특징 ● AEC-Q100 자격 ● PB-free (ROHS 준수) ● 분리 전압 :...

600V 50A 지능형 전력 모듈 BIPN60050C

600V 50A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -BIPN60050C일반적인 설명 BIPN60050C는 새로 개발되고 설계된 Advanced Intelligent Power 모듈 (IPM)입니다. 이 제품은 소형 패키지 크기와 강력한 항 회의 기능을 특징으로하며, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)와 최적의 일치를 달성합니다. 내부적으로 UVLO (저전압 잠금) 회로, 과전류 보호 회로 및 구동 회로를 통합하여 시스템...

홈 어플라이언스의 효율적인 600V 30A IPM BIP60030G-A

600V 30A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -BIP60030G-A 일반적인 설명 BIP60030G-A는 AC 모터 드라이버로서 에어컨 및 세탁기 와 같은 저전력 인버터 구동 애플리케이션을 대상으로하는 AC 모터 드라이버로서 매우 작고 고성능을 제공하도록 새로 개발되고 설계된 고급 지능형 전력 모듈입니다 . 최적화 된 회로 보호와 드라이브는 저소도 IGBT와 일치 합니다 . 통합 된 전압 잠금 및 과전류 보호 에 의해 시스템...

주파수 변환기 용 IPM 600V 20A BIPN60020C

600V 20A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -BIPN60020C 일반적인 설명 BIPN60020C는 새로 개발되고 설계된 Advanced Intelligent Power 모듈 (IPM)입니다. 이 제품은 소형 패키지 크기와 강력한 항 회의 기능을 특징으로하며, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)와 최적의 일치를 달성합니다. 내부적으로 UVLO (저전압 잠금) 회로, 과전류 보호 회로 및 구동 회로를 통합하여 시스템...

서보 컨트롤을위한 BIPN60015C 600V 15A IPM

600V 15A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -BIPN60015C 일반적인 설명 BIPN60015C는 새로 개발되고 설계된 Advanced Intelligent Power Module (IPM)입니다. 이 제품은 소형 패키지 크기와 강력한 항 회의 기능을 특징으로하며, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)와 최적의 일치를 달성합니다. 내부적으로 UVLO (저전압 잠금) 회로, 과전류 보호 회로 및 구동 회로를 통합하여...

600V 20A 지능형 전력 모듈 BIP60020G-B

600V 20A 지능형 전원 모듈 (IPM) IPM 모듈 -BIP60020G-B 일반적인 설명 BIP60020G-B는 AC 모터 드라이버로서 에어컨 및 세탁기 와 같은 저전력 인버터 구동 애플리케이션을 대상으로하는 AC 모터 드라이버로서 매우 작고 고성능을 제공하기 위해 새로 개발되고 설계된 고급 지능형 전력 모듈입니다 . 최적화 된 회로 보호와 드라이브는 저소도 IGBT와 일치 합니다 . 통합 된 전압 잠금 및 과전류 보호 에 의해 시스템...

고전압 N- 채널 전력 MOSFET LSD55R140GF

N- 채널 MOSFET 550V 23A 전력 MOSFET, TO-220F 패키지 제품 프로필 Advanced Super Junction 기술로 설계된 Lonfet ™ Power MOSFET은 획기적인 전도 성능을 달성합니다. 초소형 온 저항 특성은 피크 에너지 효율을 요구하는 전력 밀도 디자인의 중요한 장점을 가능하게합니다. 성능 하이라이트 ◆ 최소 전도 손실 (RDS (on)) ◆ 최적화 된 스위칭 역학 (QG Typ. 40NC) ◆ 전체...

600V 30A NCE30TD60B IGBT 단일 튜브

반도체 이산 장치 - IGBT 단일 튜브 일반적인 설명 NCE의 독점적 트렌치 아키텍처 및 고급 2 세대 필드 스톱 (FS II) 기술을 사용하여 600V 트렌치 FS II IGBT는 탁월한 전도 및 전환 성능을 제공하면서 쉽게 병렬 작업을 가능하게합니다. 특징  트렌치 FSII 기술 오퍼링  매우 낮은 VCE (SAT)  고속 스위칭 기능  V CE (SAT) 의 양의 온도 계수  엄격하게 제어되는 매개 변수 분포  온도 안정적인...

고전압 N- 채널 MOSFET LSB65R180GT

고전압 N- 채널 MOSFET 650V 20A 전력 MOSFET -LSB65R180GT 설명 최첨단 슈퍼 접합 기술을 활용하여 Lonfet ™ Power MOSFET은 저항성이 매우 낮습니다. 이 특징은 고출력 밀도와 향상된 에너지 효율을 우선시하는 시스템을위한 이상적인 솔루션으로 배치합니다. 특징  매우 낮은 드레인-소스 온 저항 RDS (on)  게이트 드라이브 요구 사항 감소 (유형 QG = 40.2NC)  보장 된 눈사태 견고성...

650V 20A IGBT 트랜지스터 DXG20N65PS

반도체 이산 장치 - IGBT 트랜지스터 주요 사양  20A 전류에서 1.70V의 일반 VCE (SAT)를 가진 650V/20A 등급  고급 필드 정지 IGBT 기술을 활용합니다  짧은 회로를 지원합니다  정사각형 리버스 바이어스 안전 작동 지역 (RBSOA)이 특징입니다.  양의 VCE (ON) 온도 계수. 장점  운동 제어를위한 고효율.  견고한 성능.  병렬 작업에서 우수한 전류 공유 * 개별 IGBT (절연 게이트...

DXG60N65HSE 650V IGBT 트랜지스터

반도체 이산 장치 - IGBT 트랜지스터 특징  60a 부하 전류에서 2.3V의 전형적인 전압 강하로 650V/60A 등급.  우수한 성능을 위해 필드 정지 IGBT 디자인을 통합합니다.  10 마이크로 초 단락 삭제 기능을 제공합니다.  잘 정의 된 리버스 바이어스 안전 작동 영역이 있습니다.  양의 VCE (ON) 온도 계수. 이익  용접, 유도 가열, UPS 및 기타 고주파 응용 분야 의 고효율  견고한 성능  병렬...

DXG60N65HSEU 650V 60A IGBT 단일 튜브

반도체 이산 장치 - IGBT 단일 튜브 특징  60a에서 2.3V의 일반적인 채도 전압 (VCE (SAT))가있는 650V/60A  성능 향상을위한 필드 정지 IGBT 아키텍처.  최대 10μs의 단락 조건을 견딜 수 있습니다.  Square Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA)는 신뢰성을 보장합니다.  열 향상을 위해 VCE (on)의 양의 온도 계수 이익  용접, 유도 가열, UPS 및 기타...

550V 23A N- 채널 전력 MOSFET LSB55R140GF

550V N- 채널 MOSFET 산업 제어를 위한 파워 MOSFET LSB55R140GF 설명 Lonfet ™ Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 저항성이 매우 낮습니다. 이 설계는 고전력 밀도와 효율성을 요구하는 응용 프로그램에 최적화합니다. 특징  초 저장 RDS (on)  최소 게이트 전하 (유형 QG = 40NC) 완전한 UIS 테스트  ROHS 준수 응용 프로그램  전력 계수 보정 (PFC)  스위치...