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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> IGBT 단일 튜브> DXG60N65HSE 650V IGBT 트랜지스터
DXG60N65HSE 650V IGBT 트랜지스터
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DXG60N65HSE 650V IGBT 트랜지스터

최소 주문량:1

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제품 설명
제품 속성

모형: DXG60N65HSE

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료: 데이터 시트, 사진

Vces: 650V

IC (TC = 25 C): 120a

IC (TC = 100 C): 60a

ICM: 240A

If (tc = 100 C): 60a

Ifm: 240A

VCE(sat)(typ.): 2.3V@60A

TJ: -55 to +150℃

파키지: TO-247

포장 및 배송
DXG60N65HSE 650V IGBT 트랜지스터
반도체 이산 장치 - IGBT 트랜지스터
특징
60a 부하 전류에서 2.3V의 전형적인 전압 강하로 650V/60A 등급.
우수한 성능을 위해 필드 정지 IGBT 디자인을 통합합니다.
10 마이크로 초 단락 삭제 기능을 제공합니다.
잘 정의 된 리버스 바이어스 안전 작동 영역이 있습니다.
양의 VCE (ON) 온도 계수.
이익
용접, 유도 가열, UPS 및 기타 고주파 응용 분야 의 고효율
견고한 성능
병렬 작업에서 우수한 전류 공유
IGBT TO-247 Package
*IGBT 단일 튜브 (또는 이산 IGBT)
단일 IGBT 칩 (종종 프리 휠링 다이오드)을 격리 된 하우징에 포장하는 전력 반도체 장치.

주요 특성 :

  • 내부 드라이버가없는 하나의 IGBT 장치 만 포함합니다.

  • 외부 게이트 드라이버, 방열판 및 보호 회로가 필요합니다.

  • 설계 유연성을위한 표준화 된 패키지 (예 : TO-247, TO-220).
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