600V 30A NCE30TD60B IGBT 단일 튜브

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모형: NCE30TD60B

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료: 데이터 시트, 사진

VCES: 600V

IC(TC=25°C): 60A

IC(TC=100°C): 30A

ICpuls: 120A

IF(TC=100°C): 30A

Ifm: 120a

VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃Typ: 1.7V

Vce (sat) (v)@vge = 15v, 25 ℃ Max: 1.9V

TJ: -55 ~ +175 ° C

장치 패키지: TO-220

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600V 30A NCE30TD60B IGBT 단일 튜브

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반도체 이산 장치 - IGBT 단일 튜브

일반적인 설명

NCE의 독점적 트렌치 아키텍처 및 고급 2 세대 필드 스톱 (FS II) 기술을 사용하여 600V 트렌치 FS II IGBT는 탁월한 전도 및 전환 성능을 제공하면서 쉽게 병렬 작업을 가능하게합니다.

특징

 트렌치 FSII 기술 오퍼링

 매우 낮은 VCE (SAT)

 고속 스위칭 기능

 V CE (SAT) 의 양의 온도 계수

 엄격하게 제어되는 매개 변수 분포

 온도 안정적인 작동으로 강력한 견고성

애플리케이션

 에어 코티 션 시스템

 Inverters 응용 프로그램

 모터 드라이브 시스템

* 개별 IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 단일 튜브)는 별도로 포장 된 반도체 전원 전원 전원 스위칭 장치이며 전자 구성 요소의 범주에 속합니다. 표준 이산 패키지 (예 : To-247, To-220)에 3 개의 터미널 (게이트, 컬렉터, 이미 터)에 보관 된 단일 칩에 IGBT 구조 (일반적으로 정책 방지 프리 휠링 다이오드와 함께)를 통합합니다. 핵심 기능은 게이트 전압에 의해 제어되는 고전압, 고전류, 고속 전자 스위치 역할을하는 것입니다 .