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  • N- 채널 650V 11A 전력 MOSFET LSD65R380GT

    최소 주문량:1

    Model No:LSD65R380GT

    설명 Lonfet TM Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 제작되었습니다 . 결과 장치는 저항이 매우 낮으므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율이 필요한 응용 분야에 특히 적합합니다 . 특징 ⚫ Ultra Low RDS (on) ⚫ Ultra Low Gate 전하 (Typ. QG = 21NC) 100 % UIS 테스트 ROHS 준수 응용 프로그램 ⚫ 전력 계수 보정 (PFC) ⚫ 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP) ⚫...

  • BIP60015G-A 600V 15A 지능형 전원 모듈

    최소 주문량:1

    Model No:BIP60015G-A

    일반적인 설명 BIP60015G-A는 AC 모터 드라이버로서 에어컨 및 세탁기 와 같은 저전력 인버터 구동 애플리케이션을 대상으로하는 AC 모터 드라이버로서 매우 작고 고성능을 제공하기 위해 새로 개발되고 설계된 고급 지능형 전력 모듈입니다 . 최적화 된 회로 보호와 드라이브는 저소도 IGBT와 일치 합니다 . 통합 된 전압 잠금 및 과전류 보호 에 의해 시스템 신뢰성이 더욱 향상됩니다. 고속 내장 HVIC는 광고가없는 단일 공급 IGBT...

  • 고전압 N- 채널 전력 MOSFET LSD65R180GF

    최소 주문량:1

    Model No:LSD65R180GF

    설명 이 Power Mosfet은 건설에서 고급 슈퍼 접합 기술을 사용합니다. 엔지니어링 된 장치는 최소한의 저항성을 제공하므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율성을 요구하는 응용 프로그램에 이상적으로 적합합니다. 특징  Ultra-Low R DS (on)  게이트 전하 감소 (유형 QG = 40.2NC)  완전 UI (uptramped aductive switching) 테스트  ROHS 준수 응용 프로그램  전력 계수 보정...

  • 650V 40A IGBT 트랜지스터 DXG40N65HSEK

    최소 주문량:1

    Model No:DXG40N65HSEK

    650V 40A IGBT 단일 튜브 DXG40N65HSEK 특징  650V 40A, V CE (SAT) (타이핑) = 1.70 V@40a  필드 중지 IGBT 기술.  10μs 단락 회로 기능.  정사각형 RBSOA.  양의 VCE (ON) 온도 계수. 이익  향상된 모터 제어 효율  견고한 성능 .  우수한 현재...

  • 고성능 빠른 빠른 회복 에피 택셜 다이오드 HUR30120

    최소 주문량:1

    Model No:HUR30120

    빠른 복구 다이오드 HUR30120- 소프트 회복 동작 고성능 넓은 온도 범위 매우 빠른 회복 에피 택셜 다이오드 특징 * 국제 포장 표준을 준수합니다 * 평면 수동 칩 기술 * 매우 빠른 복구 시간 * 매우 낮은 스위칭 손실 * 낮은 LRM 값 * 소프트 복구 특성 * ROHS 준수 응용 프로그램 * 고주파 스위칭 장치를위한 항구 평행 다이오드 * 항만 다이오드 * Snubber 다이오드 * 변환기 및 모터 콘트로 회로의 무료 휠링 다이오드...

  • UPS 응용 프로그램에 대한 효율적인 IGBT DXG40N65ASWU

    최소 주문량:1

    Model No:DXG40N65ASWU

    IGBT 단일 튜브 (또는 이산 IGBT ) : 분리 된 하우징에 포장 된 단일 IGBT 칩 . 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU 특징  650V 40A, VCE (SAT) (타이핑) = 2.3 V@40a  필드 중지 IGBT 기술.  10μs 단락 회로 기능.  정사각형 RBSOA.  양의 VCE (ON) 온도 계수. 응용 프로그램 : * 새로운 에너지 시스템 - 분산 된 PV 인버터 / 소규모 에너지 저장 변환기 *...

  • 고전압 N- 채널 전력 MOSFET LSB65R070GF

    최소 주문량:1

    Model No:LSB65R070GF

    설명 Lonfet TM Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 제작되었습니다 . 결과 장치는 저항이 매우 낮으므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율이 필요한 응용 분야에 특히 적합합니다 . 특징 ⚫ Ultra Low R DS (on) ⚫ Ultra Low Gate 전하 (Typ. Q G = 95NC) 100 % UIS 테스트 ROHS 준수 응용 프로그램 ⚫ 전력 계수 보정 (PFC). ⚫ 스위치 모드 전원 공급 장치...

  • 고성능 N- 채널 650V 20A 전력 MOSFET LSD65R180GT

    최소 주문량:1

    Model No:LSD65R180GT

    설명 Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 제작되었습니다 . 결과 장치는 저항이 매우 낮으므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율이 필요한 응용 분야에 특히 적합합니다 . 제품 요약 vds @ tj, max : 700v RDS (on), 최대 : 0.18Ω IDM : 60a QG, 유형 : 40.2 NC 특징 ⚫ Ultra Low R DS (on) ⚫ Ultra Low Gate 전하 (Typ. Q G = 40.2NC) 100...

  • 450V 220UF 알루미늄 전해 커패시터

    최소 주문량:1

    Model No:450V220μF φ30*30

    알루미늄 전해 커패시터 양극화 된 전해 커패시터 는 양극 (+)이 유전체로서 양극화 된 알루미늄 층을 갖는 에칭 된 알루미늄 호일로 구성된 전해질 커패시터 이다 . 캐소드 (-)는 음극 호일과 접촉하는 전도성 전해질 (액체/고체)에 의해 형성된다. 이들은 부피 당 높은 커패시턴스, 극성 감도, 필터링, 에너지 저장 및 DC 회로의 커플 링에 널리 사용됩니다. 응용 프로그램 * 전원 공급 장치 회로 * 산업 및 자동차 * 소비자 전자 제품...

  • 150W MINL 슈퍼 에너지 저장 전원 공급 장치

    최소 주문량:1

    휴대용 저전력 인버터 150W는 직류를 교대 전류로 변환하기위한 작고 효율적인 솔루션으로 다양한 휴대용 전력 요구에 이상적입니다. 이 휴대용 전력 인버터 150W는 전통적인 전원에 대한 접근이 제한되는 상황에서 안정적인 에너지를 제공하도록 설계되었습니다. 이동 중이 든 백업 전원이 필요하든,이 슈퍼 에너지 저장 전원 공급 장치는 장치의 전원을 유지하고 기능적으로 유지하도록합니다. 이 장치는 안정적인 성능과 장기 내구성을 제공하기 위해 고품질...

  • 600V 30A 빠른 회복 에피 택셜 다이오드 HUR3060

    최소 주문량:1

    Model No:HUR3060

    빠른 복구 다이오드 특징 * 국제 표준 패키지 * 유리 통과 칩 * 매우 짧은 복구 시간 * 매우 낮은 스위칭 손실 * 낮은 IRM 값 * 소프트 회복 동작 * ROHS 준수 응용 프로그램 * 고주파 스위칭 장치를위한 항구 평행 다이오드 * 항만 다이오드 * Snubber 다이오드 * 변환기 및 모터 제어 회로의 무료 휠링 다이오드 * 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)의 정류기 * 유도 가열 * 무정전 전원 공급 장치 (UPS) *...

  • 초음파 클리너 용 600V 빠른 복구 다이오드 MUR3060PT

    최소 주문량:1

    Model No:MUR3060PT

    빠른 복구 다이오드 특징 * 국제 표준 패키지, Jedec To-247ad * 유리 통과 칩 * 매우 짧은 복구 시간 * 매우 낮은 스위칭 손실 * 낮은 IRM 값 * 소프트 회복 동작 * ROHS 준수 응용 프로그램 * 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)의 정류기 * 무정전 전원 공급 장치 (UPS) * 초음파 클리너 및 용접기 장점 * 높은 신뢰성 회로 작동 * 보호 회로 감소를위한 저전압 피크 * 저음 전환 * 낮은 손실 * 냉각...

  • 고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNB20N65

    최소 주문량:1

    Model No:LNB20N65

    설명 Power MOSFET은 Advanced Planer VDMOS 기술을 사용하여 제작됩니다. 결과 장치는 전도 저항력이 낮고 스위칭 성능이 우수하며 눈사태 에너지가 높습니다. 특징  낮은 r ds (on)  게이트 하전 (유형 Q G = 58.3 NC)  100% UIS 테스트  ROHS 준수 응용 프로그램  전력 계수 보정. 스위치 모드 전원 공급 장치. LED 드라이버....

  • 고전압 N- 채널 MOSFET LSB65R041GF

    최소 주문량:1

    Model No:LSB65R041GF

    설명 Lonfet TM Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 제작되었습니다 . 결과 장치는 저항이 매우 낮으므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율이 필요한 응용 분야에 특히 적합합니다 . 특징  Ultra Low R DS (on)  울트라 로우 게이트 전하 (Typ. Q G = 169NC)  100% UIS 테스트  ROHS 준수 응용 프로그램  전력 계수 보정 (PFC). 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)....

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