고전압 N- 채널 MOSFET LSB65R041GF

최소 주문량:1

제품 속성

모형: LSB65R041GF

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 소매상, 다른, 대리점

참고 자료: 사진, 데이터 시트

VDSS: 650V

ID: 78A

RDS (on), Max: 41mΩ

장치 패키지: TO-247

작동 온도: -55 ~ +150 ° C

Ciss: 7647pf

포장 및 배송

설명

Lonfet TM Power MOSFET은 고급 슈퍼 접합 기술을 사용하여 제작되었습니다 . 결과 장치는 저항이 매우 낮으므로 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율이 필요한 응용 분야에 특히 적합합니다 .

특징

 Ultra Low R DS (on)

 울트라 로우 게이트 전하 (Typ. Q G = 169NC)

 100% UIS 테스트

 ROHS 준수

응용 프로그램

 전력 계수 보정 (PFC).

스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP).

 무정전 전원 공급 장치 (UPS).

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	78 49.3	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	234	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1626	mJ
Power Dissipation	PD	658	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	78	A
Diode pulse current	IS,pulse	234	A