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ESDA 보고서 : 2024 년 4 분기 전자 시스템 설계 산업의 판매량은 49 억 달러였습니다.
2025 년 4 월 14 일, 미국에서 캘리포니아 타임 (California Time), Semi의 기술 커뮤니티 인 ESDA (Electronic Systems Design Alliance)는 2024 년 4 분기에 전자 시스템 설계 (ESD) 산업의 판매가 전년 대비 11% 증가했다고 발표했으며, 4.927 억 달러에 달했다고 발표했다. 2023 년 4 분기에 44409 억 달러였습니다. 이전 4 분기에 비해 지난 4 분기의 이동 평균은 12.8%증가했습니다. Semi Electronic Design Market Data Report의 집행 이사 인 Walden C. Rhines는 다음과 같이 말했습니다 : "2024 년 4 분기에 EDA 산업의 판매는 상당한 증가를 경험했습니다. 모든 제품 범주는 반도체 지적 재산을 제외하고는 주목할만한 성장을 보였고, 모든 범주는 지역 관점과 일본과 일본의 평균 성장을 달성했습니다. 모든 제품 카테고리 및 지역이 모두 증가했습니다....
Longteng Semiconductor는 1200V 50A IGBT를 출시하여 새로운 에너지 부문뿐만 아니라 중간 및 저전압 산업의 응용 프로그램을 가능하게했습니다.
전원 장치의 빠른 개발로 인해 손실을 낮추는 방법, 신뢰성이 높고 더 넓은 응용 범위를 달성하는 방법이 업계의 초점이되었습니다. Longteng 반도체는 ** 1200V 50A 필드 스톱 트렌치 IGBT ** 신제품을 출시했으며, 특히 고주파 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다. 고급 프로세스 플랫폼 및 체계적인 설계 기능에 의존하여 산업 인버터, UPS 및 새로운 에너지 시나리오에 효율적인 구동력을 주입합니다. 고급 기술, 우수한 성능 이 IGBT는 Field Stop Trench 기술 플랫폼을 채택하고 최적화 된 트렌치 게이트 구조를 결합하여 상태 손실 및 스위칭 손실을 효과적으로 줄입니다. 또한 고속 스위칭 기능과 SOA (Safe Safe Operating Area)가있어 고주파수 작업 환경에서 시스템 응용 프로그램에 특히 적합합니다. 이로 인해 고객에게 시스템 효율성이 높아지고 운영 안정성이 높아집니다. 우수한 전기 성능 지표 · 수집기-이미 터 전압 (VCE) :...
Semi Report : 2025 년 1 분기에 글로벌 실리콘 웨이퍼 선적은 전년 대비 2% 증가했습니다.
2025 년 4 월 29 일, 미국에서 캘리포니아 시간은 Silicon Manufacturers Group (SMG)이 발표 한 실리콘 웨이퍼 산업에 대한 분기 별 분석 보고서에 따르면, 전 세계 실리콘 웨이퍼 배송량은 전년 대비 2 억 2,340 만 평방 인치 (MSI)에서 2 억 2,24 백만 평방 인치의 2 억 2,500 만 평방 인치 (MSI)에서 2.2% 증가했습니다. 2024 년 4 분기에 3 억 3 천 2 백만 평방 인치와 비교하여, 선적량은 주로 계절적 요인과 공급망의 전체 재고 수준으로 인해 9.0% 분기 분기 분기 1/4 분기 감소했습니다. Semi SMG의 회장이자 Globalwafers의 부사장 인 Li Chongwei는 다음과 같이 말했습니다 : "2025 년 1 분기 실리콘 웨이퍼 선적 수치는 300mm 실리콘 웨이퍼의 배송량이 6%증가했지만 200mm 및 소형 규모의 배송량이 감소했지만 300mm 규모의 수요는 증가했지만, 전통적인 장비의 수요는...
반보고 : 2025 년 1 분기에 반도체 산업은 전형적인 계절 패턴을 보여 주었다. 그러나 관세와 같은 요인으로 인해 비 전형적인 변화가있을 수 있습니다.
2025 년 5 월 19 일, 미국에서 캘리포니아 타임 인 Semi는 Techinsights와 공동으로 "2025 년 1 분기 SMM (Semiconductor Manufacturing Monitor) 보고서"를 발표했습니다. 이 보고서는 글로벌 반도체 제조 산업이 2025 년 초에 전형적인 계절 패턴을 보여 주었다고 발표했지만, 지속적인 관세 영향과 발전하는 공급망 전략은 올해 몇 달 동안 여러 산업 분야에 비 계절 변화를 가져올 것으로 예상됩니다. 무역 정책 위험의 강화에도 불구하고 2025 년 1 분기의 현재 데이터에 따르면 전자 제품 및 통합 회로 (ICS)의 판매가 새로운 관세에 직접 영향을받지 않았다는 것을 보여줍니다. 전자 제품의 판매는 2025 년 1 분기에 16% 분기 분기 1/4 분기 감소했으며 전통적인 계절 패턴과 일치하여 전년 대비 평평하게 유지되었습니다. ICS의 판매량은 2% 감소했지만 인공 지능과 고성능 컴퓨팅 인프라에 대한 지속적인...
Semiconductor는 MOS 패밀리에 새로운 950V Super-Junction MOS 시리즈를 소개합니다.
고성능, 소형 전력 시스템에 대한 수요가 증가함에 따라 전통적인 평면 MOSFET은 점차 고전압 및 낮은 손실의 요구 사항을 충족시킬 수 없게되었습니다. Longteng Semiconductor는 고급 다중 에피 택셜 구조 설계를 채택하는 초고 전압 950V 수퍼 선발 SJ MOS 플랫폼을 독립적으로 개발했습니다. 고전압을 기준으로, 장치 내부의 기생 커패시턴스를 효과적으로 감소시켜 스위칭 공정 동안 에너지 손실을 더욱 최적화합니다. 전통적인 PN 접합 구조와 비교하여,이 새로운 구조는 누출 전류를 효과적으로 감소시키고, 장치의 열 안정성 및 항 전기 전계 능력을 향상시키고, 고전압 조건 하에서 신뢰성을 보장 할 수 있습니다. 가득한 LED 조명 전원 공급 장치, 어댑터, 모듈 전원 공급 장치 및 플랜트 조명 전원 공급 장치와 같은 고전압 및 중간 전원 영역에 대한 요구를 충족합니다. Longteng의 950V Super-Junction MOSFET은 여러 에피 택셜 프로세스를...
반보고 : 2025 년 1 분기에 글로벌 반도체 장비 배송은 전년 대비 21% 증가했습니다.
2025 년 6 월 5 일, 캘리포니아 타임 (Semi)은 "전세계 반도체 장비 시장 통계 (WWSEMS) 보고서"에서 캘리포니아 타임 (Semi)은 2025 년 1 분기에 글로벌 반도체 장비 배송 금액이 전년 대비 21% 증가하여 325 억 달러에 이르렀다 고 지적했다. 일반적인 계절 패턴에 따르면 2025 년 1 분기의 배송 금액은 4 분기 5% 감소했습니다. 세미 회장 겸 CEO 인 Ajit Manocha는 "Global Semiconductor Equipment Market은 2025 년 1 분기에 지역 간의 미래의 칩 제조 용량에 대한 미래의 투자를 반영한 견고한 출발을 시작했습니다. 지정 학적 긴장, 관세 변동 및 수출 통제와 같은 불확실성에도 불구하고 AI 붐이 계속 확장 및 장비 판매를 유지하는 것과 같은 구제 정보를 보여주었습니다. 지역별 분기 별 배송 데이터 (단위 : 10 억 달러) Semi, 즉 EMDS (Equipment...
세계 최초의 비 실리콘 2 차원 재료 컴퓨터가 공개되었습니다.
Science and Technology Daily에 따르면, 최근 미국의 펜실베니아 주립 대학 (Pennsylvania State University)이 이끄는 리서치 팀은 자연의 최신 호에서 획기적인 성과를 발표했습니다. 처음으로 2 차원 재료를 사용하여 간단한 운영을 수행 할 수있는 컴퓨터를 만들었습니다. 이 연구는 더 얇고 빠르며 에너지 효율적인 전자 제품을 생성하는 데 중요한 단계입니다. 이번에는 보완 금속 산화물 반도체 (CMOS) 컴퓨터가 개발 된 것으로보고되었습니다. 이전과 달리, 실리콘은 이번에 사용되지 않았습니다. 대신, 2 개의 2 차원 물질이 사용되었다 : N- 타입 트랜지스터의 몰리브덴 이황화 및 P 형 트랜지스터의 경우 텅스텐 디 셀레 나이드. 이들 재료의 두께는 하나의 원자 일 뿐이지 만, 여전히 현미경 스케일에서 우수한 전자 성능을 유지하는데, 이는 실리콘이 보유하지 않는 이점이다. 이 팀은 대규모 지역 몰리브덴 이황화 및 텅스텐 디 셀레 나이드 필름을...
차량 등급의 수퍼 선발 MOSFET LSB60R041GFA : 비교할 수없는 에너지 효율로 새로운 높이로 고출력 적용을 주도합니다.
01 제품 개요 이 제품은 최신 Ultra Junction 기술을 채택하며 자동차 전자 제품 및 고전력 응용 프로그램을 위해 특별히 설계되었습니다. 품질과 신뢰성 측면에서,이 제품은 AEC-Q101 자동차 등급 신뢰성 인증 표준 및 IATF 16949 자동차 품질 관리 시스템 인증 요구 사항을 엄격히 준수합니다. 저항성이 낮고 전력 밀도 설계가 높기 때문에 극한 조건에서 안정적인 작동을 보장하고 효율적인 모터 시스템에 대한 핵심 전력 지원을 제공합니다. 02 주요 기능 낮은 전도 손실 : 저항 설계가 낮은 열 발생을 줄이고 에너지 효율을 향상시킵니다. 낮은 스위칭 손실 : 낮은 게이트 전하는 드라이브 손실을 크게 줄입니다. 고전력 밀도 : 탁월한 열 설계, 소형 고성능 시스템에 적합합니다. 03 제품 장점 차량 등급 품질 : 이중 인증은 제품이 자동차 산업의 엄격한 표준을 충족시키고 고급 신뢰성과 안전을 통해 제품을 충족시킵니다. 효율적인 에너지 절약 : RDS (ON) 및 QG를...
반보고 : 2024 년 글로벌 반도체 장비 선적은 1,170 억 달러로 급상승 할 것으로 예상됩니다.
2025 년 4 월 9 일, Semi가 발표 한 "Worldwide Semiconductor Equipment Market Statistics (WWSEMS)"보고서에서 2024 년에 전세계 반도체 제조 장비 배송 금액이 1,111 억 달러에 달했으며 2023 년 106 억 달러에 비해 10% 증가한 것으로 나타났습니다. 2024 년에 글로벌 프론트 엔드 반도체 장비 시장은 상당한 성장을 목격했습니다. 웨이퍼 가공 장비의 판매는 9%증가한 반면 다른 프론트 엔드 부문의 판매는 5%증가했습니다. 이러한 성장은 주로 고급 논리, 성숙한 논리, 고급 포장 및 대역폭 메모리 (HBM)에 대한 용량 확장에 대한 투자 증가와 중국의 상당한 성장에 기인 한 것입니다. 2 년 연속 감소를 경험 한 후 백엔드 장비 부문은 2024 년에 인공 지능과 대역폭이 높은 메모리 제조에 대한 점점 더 복잡한 요구로 인해 강력한 회복을 보았습니다. 포장 및 테스트 장비의 판매는 각각 고급...
Changxin Corporation의 몇몇 맞춤형 칩 프로젝트가 디자인 단계에 들어갔고 연중 내내 제작 될 것으로 예상됩니다.
주요 반도체 산업 웹 사이트의 정보에 따르면, 6 월 10 일, 캔 즈신 (Canxin Co.), Ltd.는 기관 투자자 방문 중에 2025 년 1 분기에 회사의 맞춤형 칩 프로젝트 중 일부가 설계 단계에 들어갔고 올해는 웨이퍼 제작을 겪을 것으로 예상된다고 밝혔다. 회사가 설계 서비스를 위해 제공 한 MRAM Control Chip 프로젝트. 이 칩은 국내 자체 개발 프로세스 플랫폼에서 논리 제어 설계를 수행하여 국내 MRAM 스토리지에서 돌파구를 달성합니다. 또한 비용 우위로 인해 후속 SOC 설계 프로세스에서 저속 애플리케이션 시나리오에서 외부 플래시 및 온칩 SRAM을 점차적으로 대체 할 수 있습니다. 이 칩은 향후 여러 번 반복 될 것으로 예상되며 상당한 상업적 잠재력이 있습니다. 또한이 회사는 다중 프로세스 플랫폼 IPS의 R & D에서 상당한 진전을 보였습니다. 28HKC+ 프로세스 플랫폼을 기반으로 DDR, SERDES, PCIE, MIPI 및 USB와 같은...
2025 년 4 분기의 계절적 효과는 완화되었고 웨이퍼 파운드리의 매출은 4 분의 1 분기 5.4% 감소했습니다.
Trendforce (리서치 회사) : 2025 년 1 분기 오프 시즌의 영향은 완화되었으며, 웨이퍼 파운드리의 수익은 전 분기에 비해 5.4% 감소했습니다. Trendforce의 최신 설문 조사에 따르면, 2025 년 1 분기에 국제 상황의 변화에 영향을받는 글로벌 반도체 파운드리 산업은 미리 비축하기 시작했습니다. 일부 회사는 고객으로부터 긴급 주문을 받았습니다. 또한 중국은 2024 년에 시작된 구식 교체 보조금 정책을 계속했으며, 이는 시즌 오프 시즌 영향 중 일부를 상쇄했습니다. 결과적으로 전체 산업 매출은 약 5.4%의 1/4 분기 감소하여 344 억 달러로 수렴했습니다. 2 분기의 매출 성과를 살펴보면 전체 모멘텀이 점차 느려지고 있습니다. 그러나 오래된 장치에 대한 보조금 정책은 중국의 새로운 장치로 대체 된 정책에 대한 보조금 정책은 판매 붐을 계속 주도 할 것으로 예상됩니다. 또한, 하반기에 새로운 스마트 폰 모델에 대한 선주문 준비가 점차 시작되며 AI...
Power Semiconductor는 100-150kW의 3 단계 인버터/스토리지 모듈의 Q2 시리즈를 출시했습니다.
"이중 탄소"목표에 의해, 태양 광 인버터, 에너지 저장 시스템 및 산업 주파수 변환 분야에서 고효율 및 고력 밀도의 전력 밀도에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있습니다. 스위칭 손실이 낮고 전압 활용률이 높을수록 3 단계 (NPC) 토폴로지는 중간 및 고전압 시나리오의 주류 솔루션이되었습니다. "2025 Global Power Electronics Technology White Paper"에 따르면, 3 단계 모듈 시장의 연간 성장률은 18%를 초과 할 것이며, 그 중 650V 플랫폼은 1000V 광전지 시스템과의 호환성으로 인해 핵심 점유율을 차지합니다. Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd.는 105kW, 125kW 및 135kW Inverter Energer Storage Integrated Modules의 LQ2 시리즈를 출시하여 에너지 효율의 문제를 해결하는 데있어 고객에게 포괄적 인 지원을...
반보고 : 웨이퍼 제조 장비에 대한 글로벌 투자는 2025 년까지 1,100 억 달러에이를 것으로 예상됩니다.
2025 년 3 월 25 일, 미국에서 캘리포니아 시대에 Semi는 최신 분기 별 글로벌 반도체 FAB 예측 보고서 (World Fab Forecast)를 발표했으며, 2025 년에 2020 년 이후 프론트 엔드 시설에 대한 웨이퍼 제조 장비에 대한 글로벌 지출은 2020 년 이후 6 년 동안 2% 증가하여 2% 증가하여 110 억 달러에 도달했다고 밝혔다. 내년에 웨이퍼 제조 장비에 대한 지출은 18% 증가하여 1,300 억 달러에 달할 것입니다. 이 투자 성장은 고성능 컴퓨팅 (HPC) 및 메모리 카테고리가 지원하는 데이터 센터 확장에 대한 수요에 의해 유발 될뿐만 아니라 AI의 통합 증가로 인한 이점으로 이어지고 Edge Devices에 필요한 실리콘 제품이 지속적으로 증가했습니다. Semi의 사장 겸 CEO 인 Ajit Manocha는 다음과 같이 말했습니다 : "글로벌 반도체 산업의 웨이퍼 제조 장비에 대한 투자는 6 년 연속으로 성장 해 왔습니다. AI 관련...
SJ MOSFET G4.0 800V 및 900V 제품 소개
수퍼 작업 MOSFET은 수직 구조 설계를 채택합니다. 드리프트 영역에서, 수직 P 형 컬럼 영역 및 N 형 컬럼 영역은 "슈퍼 접합"장치를 형성하도록 교대로 배열된다. 전하 보상 기술을 통해 "실리콘 제한"으로 제한되는 전통적인 전력 반도체의 고전압 장치를 뚫습니다. 핵심 설계는 전기장 분포를 최적화하여 낮은 저항성과 높은 분해 전압 사이의 균형을 달성합니다. 또한, 수퍼 접합 MOSFET은 저항성이 낮고 최적화 된 전하 분포를 가지므로 스위칭 속도는 일반적으로 일반 MOSFET보다 빠르므로 회로의 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이됩니다. 우수한 고전압 성능 및 에너지 효율 비율로 인해, 수퍼 접합 MOSFET은 고전압 및 고출력 적용 시나리오에 더 적합합니다. New Energy Gen.4는 원래의 수퍼 선발 MOSFET 기술을 기반으로 추가 기술 업그레이드를 통해 장치의 구조적 밀도를 향상시키고 특성 온 저항성을 감소시킵니다. 장치의 전력...
Semi Report : 2024 년 하반기에 글로벌 실리콘 웨이퍼 선적 및 판매가 회복되기 시작했습니다.
2024 년 2 월 13 일, 미국에서 캘리포니아 시간은 2024 년 하반기에 Silicon Manufacturers Group (SMG)이 발표 한 실리콘 제조업체 그룹 (SMG)이 발표 한 실리콘 웨이퍼 산업에 대한 연례 분석 보고서에 따르면 2023 년에 실리콘 웨이퍼에 대한 글로벌 수요가 2023 년에 산업 하락세에서 회복되기 시작했다. 2024 년에 Silicon Wafer는 2.7%로 감소했다. 실리콘 웨이퍼 중 같은 기간 동안 6.5% 감소했습니다. 2024 년에 일부 특정 부문의 터미널 수요가 약해져 웨이퍼 공장의 활용률과 특정 응용 프로그램의 웨이퍼 선적 볼륨에 영향을 미쳤으며 재고 조정 속도는 비교적 느 렸습니다. 회복은 2025 년까지 계속 될 것으로 예상되며, 하반기에는 더 큰 개선이있을 것입니다. Semi SMG의 회장이자 Globalwafers의 부사장 인 Li Chongwei는 다음과 같이 말했습니다 : "생성 인공 지능과 새로운 데이터 센터의...
새로운 NCEPOWER Automotive-Grade DFN 5X6 듀얼 측열 소산 전력 장치는 자동차 전자 제품의 성능을 업그레이드하는 데 도움이됩니다.
오늘날 빠르게 개발되는 자동차 전자 제품 산업에서 신뢰성, 효율성 및 열산 성능을 향상시키는 것은 전력 장치 설계에서 중요한 방향이되었습니다. 자동차 등급 DFN5*6 이중 열 소산 제품은 탁월한 열 소산 성능과 소형 포장 설계를 통해 새로운 세대의 자동차 애플리케이션에서 스타 제품이되었습니다. 시장 동향은 제품 수요를 주도합니다 새로운 에너지 차량의 대중화로 ADAS (Advanced Driver Assistance System) 및 차량 네트워킹 기술을 통해 자동차 등급 전력 장치는 더 높은 전력 밀도와보다 복잡한 작업 환경에서 우수한 성능과 신뢰성을 유지해야합니다. 전통적인 단면 열 소산 패키지는 이러한 요구 사항을 충족 할 수 없었습니다. 그리고 이번에는 Changjin Energy는 공식적으로 40V DFN 5X6 (NCEAP008NH4OAGW) 듀얼 측열 소실 자동차 등급 MOSFET 신제품의 출시를 공식적으로 발표했습니다. 효율적인 열 관리 기능을 통해 고전력...
0121 지진의 초기 평가는 Tainan Wafer 팹에 상당한 손상을 일으키지 않았지만 1Q25에서 TV 패널의 단단한 공급을 악화시킬 수 있음을 나타냅니다.
Trendforce : 예비 평가에 따르면 0121 지진은 Tainan Wafer 팹에 큰 손상을 입히지 않았지만 1Q25에서 TV 패널의 엄격한 공급을 악화시킬 수 있습니다. 1 월 21 일 Trendforce의 조사에 따르면, 근처 웨이퍼 파운드리 및 패널 공장, TSMC 및 UMC의 Tainan Plants에서 Chiayi의 크기 6.4 지진의 영향에 대해 4도 이상의 진전을 경험했으며, 대피 한 요원 및 정지 된 운영을 경험했습니다. 퍼니스 기계 내부의 불가피한 웨이퍼 파손을 제외하고는 장비에 큰 손상이보고되지 않았습니다. Tainan은 또한 중요한 패널 생산 영역이며, 제조업체에 대한 실제 영향은 여전히 확인되어야합니다. 그러나이 지진은 2025 년 1 분기에 TV 패널의 공급 압력을 증가시킬 수 있습니다. Trendforce Consulting은 TAINAN 지역에 TSMC가 8 인치 공장과 2 개의 12 인치 웨이퍼 팹을 가지고 있으며, 이곳에서 성숙한 프로세스에서...
Server DRAM과 HBM은 2024 년 3 분기에 DRAM 업계의 매출을 13.6% 쿼터에 늘 렸습니다.
Trendforce (리서치 회사) : Server DRAM과 HBM은 2024 년 3 분기에 DRAM 업계의 매출을 13.6% 쿼터에 13.6% 증가 시켰습니다. Trendforce의 최신 설문 조사에 따르면, 2024 년 3 분기 DRAM (메모리) 업계의 매출은 전년 대비 13.6% 증가한 262 억 달러였습니다. 중국 모바일 장치 제조업체의 재고 감소와 일부 DRAM 공급 업체의 생산 확장으로 인해 상위 3 개의 DRAM 제조업체의 LPDDR4 및 DDR4의 배송이 감소했지만 데이터 센터의 DDR5 및 HBM (대역폭 메모리)에 대한 수요가 증가했습니다. 평균 판매 가격 측면에서, 3 개의 주요 제조업체는 지난 분기의 상승 추세를 계속했으며 HBM이 전체 DRAM 생산 능력을 계속 확장함에 따라 계약 가격은 3 분기에 8%로 13% 증가했습니다. Trendforce의 Research Institute는 2024 년 4 분기를 앞두고 전체 공장 비트 선적이 전 분기에 비해...
새로운 Jieneng 650V Gen.7 시리즈 IGBT 제품은 마이크로 그루브 채널 컷오프 기술을 기반으로하며, 이는 장치의 셀 구조 밀도를 크게 증가시킬 수 있습니다. 캐리어 저장 설계, 다중 그레이드 버퍼 레이어 설계 및 초박형 드리프트 영역 설계를 채택함으로써 장치의 현재 밀도가 크게 향상됩니다. 동시에, 장치의 스위칭 특성은 최적화되어 시스템 설계를위한 더 많은 공간을 제공합니다. Jieneng의 Gen.7 IGBT 시리즈 제품은 다양한 애플리케이션 요구 사항에 맞게 개발되었으며 다양한 매개 변수 특성을 특징으로합니다. 오늘날 소개 된 "V"시리즈 제품은 전도 손실과 전환 손실 사이의 상대적으로 큰 포화 전류 및 우수한 타협을 가지므로 광전지 인버터, 에너지 저장 및 UPS와 같은 응용 분야에 매우 적합합니다. 650V 40A (NCE40ED65VT) 사양을 예로 들어,이 제품은 650V, TO-247 패키지이며, 정격 전류는 100 ° C에서...
반보고 : 2024 년 3 분기에 글로벌 실리콘 웨이퍼 선적이 6% 증가했습니다.
2024 년 11 월 12 일, 미국에서 캘리포니아 시간은 2024 년 3 분기에 Silicon Manufacturers Group (SMG)이 발표 한 실리콘 웨이퍼에 대한 최신 분기 분석 보고서에 따르면, 2024 년 3 분기에 전세계 실리콘 웨이퍼 선적은 전 분기에 비해 5.9% 증가하여 3 억 2,140 만 평방 인치 (MSI)에 도달했으며 6.8% 증가했습니다. Semi SMG의 회장이자 Globalwafers의 부사장 인 Li Chongwei는 다음과 같이 말했습니다 : "3 분기 실리콘 웨이퍼 선적은 올해 2 분기에 시작된 상향 추세를 계속했습니다. 전체 공급망의 재고 수준은 전체적으로 감소했지만 전반적으로 높은 수요에 대한 수요는 여전히 강력하게 유지됩니다. 휴대 전화 및 기타 소비자 제품의 실리콘은 다소 개선되었으므로 2025 년은 계속 상승 추세를 보일 가능성이 높지만 총 배송은 아직 2022 년의 최고 수준으로 돌아 오지 않을 것으로 예상됩니다....
반보고 : 2024 년 2 분기에 글로벌 반도체 장비 배송 가치는 전년 대비 4% 증가했습니다.
2024 년 9 월 4 일 미국 캘리포니아-Semi는 "전세계 반도체 장비 시장 통계 (WWSEMS) 보고서에서 발표했다. 작년 같은 기간과 비교하여 1% 증가했습니다. Semi의 사장 겸 CEO 인 Ajit Manocha는 다음과 같이 말했습니다 : "2024 년 상반기에 Semiconductor Equipment Shipments의 전 세계 총 가치는 5,32 억 달러로 현재까지 산업의 전반적인 건강을 반영했습니다. 전략적 투자로 인해 반도체 장비 시장은 계속해서 강력한 기술을 지원하기 위해 지속적으로 강력한 수요를 지원하기위한 성장을 재개했습니다. "Global Semiconductor Equipment Market Report"는 Semi와 Japan Semiconductor Equipment Association (SEAJ)이 제공 한 데이터를 편집하고 글로벌 반도체 장비 산업의 월 주문 및 배송 관련 데이터를 요약합니다. 지역별 분기...
반보고 : 반도체 장비의 총 전 세계 판매는 2024 년에 1,090 억 달러의 기록에 도달 할 것으로 예상됩니다.
2024 년 7 월 9 일, 미국에서 캘리포니아 시대의 Semi는 Semicon West 2024에서 "중간 연도 총 반도체 장비 예측 -OEM 관점"을 발표했습니다.이 보고서에 따르면 독창적 인 장비 제조업체에 의한 반도체 제조 장비의 글로벌 총 매출은 2024 년에 3.4%의 1 년 동안 미국 달러에 달하는 새로운 산업 기록을 세울 것으로 예상됩니다. 반도체 제조 장비는 2025 년에 전면 및 백엔드 시장 부문에 의해 계속 증가 할 것으로 예상되며, 판매량은 2025 년에 1,280 억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. Semi의 사장 겸 CEO 인 Ajit Manocha는 다음과 같이 말했습니다 : "올해 반도체 제조 장비의 총 판매가 증가함에 따라 2025 년에 약 17%의 강력한 성장이 예상됩니다. 글로벌 반도체 산업은 강력한 기초와 성장 잠재력을 보여주고 있으며, 인공 지능의 파괴적인 물결을 지원하고 있습니다." 반도체 장비 판매 (시장...
1500V 및 1700V 시리즈 전력 VDMOS 3A 제품
주파수 변환기 또는 광전자 인버터의 보조 전원 공급 장치에서 보조 전원 공급 장치의 주요 기능은 DC 고전압 및 공급 전원을 드라이버 IC, 메인 제어 MCU, 통신 모듈 칩 등으로 줄이는 것입니다. 550V, 주파수 컨버터의 보조 전원 공급 장치는 일반적으로 역전 디자인입니다. 일반적으로 전력 장치는 최대 내용 전압 1375V를 보장하기 위해 최대 내용 전압 마진의 1.5-2.5 배가 있어야합니다. 따라서 1500V 견딜 수있는 전압이 필요한 MOSFET이 필요합니다. 태양 광 인버터의 보조 전원 공급 장치에서 버스 전압 및 전원이 다르기 때문에 단일 튜브 역전 또는 이중 튜브 역전자 토폴로지가 일반적으로 선택됩니다. 어떤 토폴로지가 사용되는지에 관계없이, 코어 전력 장치, 즉 1500V-1700V 전력 MOSFET은 필수 불가결합니다. 주파수 변환기의 새로운 Jieneng 회사는 1500V 및 1700V 시리즈의 전력 VDMO를 출시했습니다. 1700V, 3A 제품을 예를...
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