Longteng Semiconductor는 1200V 50A IGBT를 출시하여 새로운 에너지 부문뿐만 아니라 중간 및 저전압 산업의 응용 프로그램을 가능하게했습니다.

2025,06,14

전원 장치의 빠른 개발로 인해 손실을 낮추는 방법, 신뢰성이 높고 더 넓은 응용 범위를 달성하는 방법이 업계의 초점이되었습니다. Longteng 반도체는 ** 1200V 50A 필드 스톱 트렌치 IGBT ** 신제품을 출시했으며, 특히 고주파 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다. 고급 프로세스 플랫폼 및 체계적인 설계 기능에 의존하여 산업 인버터, UPS 및 새로운 에너지 시나리오에 효율적인 구동력을 주입합니다.

고급 기술, 우수한 성능

이 IGBT는 Field Stop Trench 기술 플랫폼을 채택하고 최적화 된 트렌치 게이트 구조를 결합하여 상태 손실 및 스위칭 손실을 효과적으로 줄입니다. 또한 고속 스위칭 기능과 SOA (Safe Safe Operating Area)가있어 고주파수 작업 환경에서 시스템 응용 프로그램에 특히 적합합니다. 이로 인해 고객에게 시스템 효율성이 높아지고 운영 안정성이 높아집니다.

우수한 전기 성능 지표

· 수집기-이미 터 전압 (VCE) : 1200V

· 정격 전류 (IC) : 50a

· 최대 전력 소실 (PD) : 25 ° C에서 399W

· 포화 전압 (VCE (SAT)) : 25 ° C에서 전형적인 값 1.85V

· 턴 오프 손실 (EOFF) : 25 ° C에서 일반적인 값 1.86mj

포괄적 인 열/전기 특성 곡선

출력 특성에서 손실을 정션 온도 제한으로 전환 한이 장치는 설계 단계에서 고객의 실제 응용 조건의 일치 요구 사항을 완전히 고려했으며 우수한 열 안정성 및 충격 저항 기능을 보유하고 있습니다.

이 1200V IGBT는 특히 적합합니다

1. UPS 및 데이터 센터 전원 공급 장치

2. 용접 기계 및 유도 난방 장비

3. 태양 광 및 에너지 저장 인버터 4. 전기 자동차 DC-AC/DC-DC 변환