Ncepower Gen.8 시리즈 1200V/140A IGBT 제품 소개

2026,07,21

Xinjieneng에서 출시한 최신 8세대 IGBT(Gen.8 IGBT) 시리즈는 포화 전압 강하(VCE(sat))와 스위칭 손실(Eon, Eoff) 간의 최고의 균형을 달성했습니다. 이 시리즈는 초고밀도 마이크로 트렌치 게이트 아키텍처를 채택하여 장치의 구조적 밀도를 크게 향상시키고 전도 손실을 효과적으로 줄입니다. 동시에 장치 드리프트 존과 버퍼층의 설계 혁신을 통해 스위칭 손실과 턴오프 스트레스의 이중 최적화가 달성되었으며, 이는 실제 애플리케이션에서 시스템 효율성과 애플리케이션 마진을 모두 고려할 수 있습니다.

이 기사에서는 Gen.8 시리즈의 대표적인 제품인 NCE140GD120VTP4를 예로 들어 이 시리즈의 주요 기능을 소개합니다. 이 장치는 100°C에서 정격 전압이 1200V이고 정격 전류가 140A입니다. TO-247Plus-4L 패키지로 제공되며 광전지 인버터, 에너지 저장 장치, UPS 및 충전 파일과 같은 친환경 신에너지 및 고효율 애플리케이션 시나리오에 적합합니다.

다음 표는 동일한 조건 및 동일한 장비에서 이 제품의 측정된 매개변수를 업계 내 동일한 사양의 최고의 경쟁사와 비교한 것입니다.

제품 장점

●-40℃~175℃의 전체 온도 범위에서 V(BR)CES는 정격 내전압보다 높습니다.

● 100% Icpuls 종료 테스트

보다 엄격한 HV-H3TRB 평가를 통과할 수 있습니다.

● 전도 손실이 적고 스위칭 손실이 우수함

● 매우 낮은 턴오프 VCEpeak

응용 분야

● 태양광 인버터

●에너지 저장

● UPS

Ncepower Gen.8 시리즈 IGBT는 650V, 750V, 1000V, 1200V, 1400V 및 1700V의 6가지 전압 플랫폼을 포괄하는 더 많은 사양과 모델을 계속해서 선보일 예정입니다. 다양한 응용 분야의 차별화된 요구 사항을 충족하기 위해 동일한 전류/전압 사양에서 선택할 수 있는 여러 하위 시리즈도 제공됩니다. 예를 들어, NCE140GD120VTP4와 동일한 전류/전압 사양을 갖춘 S 시리즈(모델 NCE140GS120VTP4)는 다이오드 서지 성능에 대한 요구 사항이 높은 에너지 저장 장치와 같은 애플리케이션을 위해 특별히 설계되어 환류 다이오드의 서지 내성을 더욱 향상시킵니다.

이 제품의 출시는 단순히 단일 모델의 매개변수 업그레이드가 아니라 Xinjieneng의 Gen.8 IGBT 기술이 성숙한 대량 생산 단계에 진입했으며 그 성능이 최고의 국제 경쟁자와 직접 경쟁하거나 심지어 능가할 수 있음을 나타냅니다.

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작가:

Mr. qinweidz

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