고전류 밀도 IGBT 모듈 LE2 200A/650V

2025,11,06

고전류 밀도 IGBT 모듈 LE2 200A/650V

JL3I200V65RE2PN은 650V/200A INPC 3레벨 인버터 모듈로, 트렌치 게이트 터미네이션 기술이 적용된 IGBT7 칩을 사용하고 서미스터(NTC) 및 PressFIT 압착 핀 기술 옵션이 탑재되어 있습니다.

이 IGBT 모듈은 APF(활성 전력 필터) 및 기타 3레벨 애플리케이션에 사용하는 것이 좋습니다. APF는 전력 시스템, 전기 도금 기업, 수처리 장비, 석유 화학 기업, 대형 쇼핑몰 및 사무실 건물, 정밀 전자 기업, 공항 및 항만의 전원 공급 시스템, 의료 기관 등과 같은 산업, 기업 및 정부 기관의 유통 네트워크에 널리 적용될 수 있습니다.

제품 시리즈:

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN

제품특징

우수한 전도 및 스위칭 손실
동종 최고의 패키징, 최적화된 하우징 구조, 길어진 연면 거리
ZTA 기판을 사용하여 쉘 열 저항은 낮추고 신뢰성은 높였습니다.
모듈은 부유 인덕턴스가 매우 낮습니다.
단자 연결을 최적화하여 고전류 조건에서 단자 온도 상승을 낮추십시오.
PressFIT 핀 및 납땜 바늘(옵션)

애플리케이션 값

뛰어난 모듈 효율성
전력 밀도 증가
시스템은 더 유리한 비용 구조를 가지고 있습니다.
시스템 효율성 향상
컴팩트한 디자인

경쟁 우위

동일한 패키지 토폴로지에서 최대 전류 용량은 200A에 도달할 수 있습니다. 한편 해당 FRD는 완벽하게 장착되어 있으며 최대 전류 용량도 200A에 도달할 수 있어 애플리케이션 측에 더욱 중요한 제품 이점을 제공합니다.

완벽하게 호환되며 에너지 저장 애플리케이션에 더 적합합니다.

새로운 칩 기술은 전도 및 스위칭 손실을 줄여 효율성을 향상시킬 수 있습니다.

적용분야

SVG
APF
기타 3단계 애플리케이션

당사 제품에 대해 더 자세히 알고 싶으시면 당사 공식 홈페이지 http://www.jinlanpower.com/을 방문하여 최신 정보를 얻으시기 바랍니다. Jinlan Power Semiconductor는 귀사에 더욱 적합한 제품과 맞춤형 서비스도 제공할 수 있습니다. 문의사항이 있으시면 언제든지 연락주시기 바랍니다.

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작가:

Mr. qinweidz

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