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GaN(질화 갈륨) 전력 장치는 온 저항이 낮고 스위칭 속도가 빨라서 스위칭 손실을 크게 줄여 시스템 효율성을 향상하고 자기 부품의 크기를 줄이며 시스템 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다. 결과적으로, 그들은 시장에서 점점 더 인기를 얻고 있습니다. GaN 장치는 가전제품의 고속 충전 분야에서 처음으로 대규모 애플리케이션을 달성한 후 데이터 센터 전원 공급 장치, 광전지 인버터, 신에너지 차량 OBC(온보드 충전기), 지능형 감지, AC-DC 및 DC-DC 컨버터 등과 같은 영역을 포괄하는 고전력 밀도 시나리오에 점차적으로 침투했습니다. 다양한 애플리케이션 시나리오에서 상당한 시스템 수준 성능 이점을 입증했습니다. 대규모 생산이 진전되고 공급망이 성숙해짐에 따라 GaN 장치의 가격은 지속적으로 하락하여 실리콘 기반 장치와의 격차가 줄어들었습니다. 또한 GaN 장치의 양방향 전도 특성으로 인해 휴대폰의 고속 충전 및 OVP(과전압 보호)와 같은 응용 분야에서 체계적인 비용 이점을 제공합니다. 이러한 배경에서 Wuhuan Microelectronics는 성숙한 8인치 GaN 프로세스 플랫폼을 기반으로 하고 완전한 산업 체인 리소스를 보장하면서 40V 양방향 OVP(과전압 보호) 제품 CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ를 개발했습니다. 이 두 제품은 휴대폰 및 웨어러블 장치의 고속 충전과 같이 전압 스트레스에 민감한 시나리오를 위해 더 높은 응답 속도와 더 낮은 전력 소비 충전 보호 솔루션을 제공하도록 특별히 설계되었습니다. ![]() 제품 포장 형태 |
CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ는 양방향 전도를 지원하는 2개의 40V 강화 GaN 트랜지스터입니다. 제품은 WLCSP 고급 패키징을 채택했으며 최소 패키지 크기는 2.1mm*2.1mm에 불과합니다. 패키지 면적이 매우 작고 기생 매개변수가 낮은 것이 특징입니다. 장치의 일반적인 온 저항은 4mΩ(VGD = 5V에서)에 불과하며 FOM은 17.6mΩ.mm²입니다. FOM 값이 낮을수록 장치의 전기적 특성이 요구 사항을 충족하는 동시에 더 높은 코어아웃 비율을 제공하여 제품의 비용 효율성을 향상시킬 수 있습니다. 요약하면, PDBG 40V 저전압 양방향 E-모드 GaN 제품은 "소형, 높은 신뢰성, 저비용"이라는 핵심 장점을 바탕으로 시스템의 장기적으로 안정적인 작동을 보장하고 고객이 제품 강도를 포괄적으로 향상시킬 수 있도록 지원합니다. |
| CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ는 JEDEC/JESD47 표준에 따라 엄격한 평가 및 인증을 받아 고온, 고습 등 가혹한 조건에서도 제품이 오랫동안 안정적으로 작동할 수 있음을 보장합니다. |
| PDBG는 IDM 비즈니스 모델의 고유한 장점을 바탕으로 외부 재료 준비, 웨이퍼 설계 및 제조부터 패키징 및 테스트에 이르기까지 전체 체인 독립 생산을 달성했으며 고객에게 장기적이고 안정적인 제품 공급을 제공할 수 있습니다. |

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ는 양방향 전도 특성이 특징입니다. 단일 제품은 휴대폰 충전 회로에서 OVP 충전 보호 기능을 달성하여 기존 솔루션에서 연속으로 연결된 2개의 MOSFET을 성공적으로 대체할 수 있습니다. PDBG 40V 저전압 양방향 E-mode GaN 제품을 사용하면 PCB 점유 면적을 대폭 줄이고 시스템 비용을 낮추며 시스템 충전 안정성을 향상시킬 수 있다. 이는 "컴팩트한 공간, 우선 효율성" 시나리오에서 강력한 솔루션 최적화 기능과 높은 비용 효율성을 입증하며 향후 주류 애플리케이션 트렌드가 될 것으로 예상됩니다. 다운사이징: 전원 장치 수를 50% 줄이고, PCB 점유 면적을 대폭 줄이며, 휴대폰의 "귀중한" 내부 공간 설계를 위해 더 많은 공간을 확보하고, 더 얇고 가벼운 본체 추세에 적합합니다. 비용 절감: 부품 수를 줄이고 구동 회로 설계를 단순화함으로써 하드웨어 비용과 설계 비용의 이중 최적화를 달성했습니다. 이는 선도적인 휴대폰 제조업체가 차세대 고속 충전 솔루션에서 선호하는 방향이 되고 있습니다. |



November 06, 2025
October 29, 2025
January 24, 2026
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