신제품 출시: 산업용 고전력을 위해 선호되는 선택인 Longten Semiconductor 600V/37mΩ 플래티넘 확장 슈퍼 접합 MOSFET

2026,05,28

최근 Longten은 600V, 80A, 37mΩ N채널 초접합 전력 MOSFET을 출시했습니다. 고급 초접합 기술과 혁신적인 백금 확장 프로세스의 이중 지원을 기반으로 하는 이 제품은 초저 손실, 우수한 바디 다이오드 특성, 산업 등급의 높은 신뢰성 및 강력한 장면 적응성이라는 핵심 이점을 갖추고 고전력 및 고효율 전원 공급 장치 애플리케이션을 위한 완전히 새로운 업그레이드 솔루션을 제공합니다.

장인정신 하이라이트

동적 성능을 크게 향상시키는 플래티넘 확장 기술: 플래티넘 확장 프로세스는 소수 캐리어 수명을 정밀하게 제어하고 장치의 내부 스위칭 특성을 최적화합니다. 측정된 이점은 다음과 같습니다.

역회복 전하(Qrr) 감소: 일반적인 값은 722nC에 불과하여 다이오드의 역회복 손실을 줄입니다.

역 복구 시간(trr)을 단축합니다( 일반적으로 128.6ns). 이는 시스템의 스위칭 주파수 잠재력을 향상시킵니다.

피크 역회복 전류 평활화(Irm=9.05A): EMI 성능을 향상시키고 주변 필터 설계에 대한 부담을 줄입니다.

핵심 전기 성능

초저 온 저항: 일반 RDS(on)가 31mΩ(최대 37mΩ)으로 낮아 전도 손실이 크게 줄어듭니다.

매우 낮은 게이트 전하: 116.8nC의 일반 Qg로 빠른 스위칭이 가능하고 드라이브 손실이 줄어듭니다.

고전류 성능: 최대 80A(Tc = 25°C)의 연속 드레인 전류, 최대 240A의 펄스 전류.

100% UIS 테스트: 951mJ의 단일 펄스 애벌런치 에너지는 열악한 작동 조건에서도 견고성을 보장합니다.

실제 측정 비교

동일한 작동 조건에서 스위칭 파형을 실제 측정하고 비교한 결과, Longten Semiconductor의 초접합 MOSFET은 턴온 속도가 더 빠르고, 턴오프 시 전류 트레일이 더 짧으며, VDS 스파이크 및 진동이 더 작고, 밀러 플랫폼이 더 평탄하며, 턴온/턴오프 손실이 주류 업계 경쟁업체보다 훨씬 낮다는 것을 알 수 있습니다. 이를 통해 기계의 전체 열 소비를 효과적으로 줄이고 고주파 전원 공급 장치의 변환 효율과 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.

동일한 작동 조건에서 다이오드 파형을 비교하면 Longten Semiconductor의 초접합 MOSFET은 고급 백금 확장 기술을 채택하여 역회복 과정에서 더 짧은 역회복 시간과 더 부드러운 역회복 과정으로 탁월한 성능을 발휘한다는 것을 알 수 있습니다. 이 기능은 스위칭 손실과 EMI 간섭을 효과적으로 줄이고 고주파 작동 조건에서 시스템 안정성과 열 방출 성능을 향상시킵니다.

일반적인 애플리케이션 시나리오

형성 전원

OBC(온보드 충전기)

통신 전원

충전 파일

고전력 산업용 전원 공급 장치

광산 기계 전원 공급 장치

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작가:

Mr. qinweidz

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