500V N- 채널 MOSFET PTW28N50

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모형: PTW28N50

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료: 사진, 데이터 시트

VDSS: 500V

ID: 28A

RDS(ON),typ: 170mΩ

Ciss: 4300pF

작동 온도: -55 ~ 150 ℃

Device Package: TO-3P

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500V N- 채널 MOSFET

Power MOSFET -500V 28A PTW28N50

일반적인 특징

planar 고급 평면 기술을 사용하여 제작되었습니다

 r ds (on), 유형. = 170 MΩ@V gs = 10V

gate 낮은 게이트 전하는 스위칭 손실을 최소화합니다

 견고한 폴리 실리콘 게이트 구조

응용 프로그램

renance 재생 에너지 시스템

bldc 모터 드라이버

 고효율 SMP

 소비자 전자 제품

패키지 : TO-3P, 금속 열 소산 백 플레이트가있는 플라스틱 하우징.

고출력 트랜지스터 (MOSFET, IGBT 및 바이폴라 파워 트랜지스터 포함)를위한 표준 패키지 유형으로, 통합 된 금속 백 플레이트 방열판이있는 플라스틱 캡슐화, 3 개의 리드 및 홀 마운팅을 갖춘 플라스틱 캡슐화가 특징입니다.

절대 최대 값 등급

Symbol	Parameter	PTW28N50	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	500	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	28	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	18
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	110
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	2078	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	300	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.38	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

*금속 산화물-비도체 전계 효과 트랜지스터 인 MOSFET 은 더 넓은 범주의 전자 구성 요소 내의 전압 제어 반도체 장치로 분류되며, 게이트 터미널에 전압을 적용하여 소스와 배수 터미널 사이의 전류 흐름을 조절합니다. 핵심 구조는 금속 게이트 , 절연 산화물 층 (일반적으로 sio₂) 및 반도체 채널 로 구성됩니다 . 주요 기능으로는 높은 입력 임피던스, 낮은 구동 전력 및 빠른 스위칭 속도가 포함됩니다.