신뢰할 수있는 사용을위한 고전압 900V N- 채널 MOSFET PTF24N90

최소 주문량:1

제품 속성
포장 및 배송
Other information

제품 속성

모형: PTF24N90

공급 유형: 원래 제조업체, 대리점, ODM, 소매상, 다른

참고 자료: 사진, 데이터 시트

VDSS: 900V

ID: 24A

RDS (on), 타이핑: 320mΩ

Ciss: 7500pf

작동 온도: -55 ~ 150 ℃

장치 패키지: TO-247

포장 및 배송

900V N- 채널 MOSFET

파워 MOSFET -PTF24N90

특징 및 장점

고급 평면 공정으로 제조
일반적인 RDS (ON) = 320 MΩ @ VGS = 10V
낮은 게이트 전하는 스위칭 손실을 최소화합니다
견고한 폴리 실리콘 게이트 구조

일반적인 사용 사례

BLDC 모터 드라이버
전기 용접 장비
고효율 SMP (스위치 모드 전원 공급 장치)

순수한 최고 등급

Symbol	Parameter	Maximum Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	900	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	24	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	15
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	96
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	3200	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	660	W
PD	Derating Factor above 25℃	5.26	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

메모:

[1] TJ = +25 ℃ ~ +150 ℃.

[2] 실리콘 제한 전류 만.

[3] 패키지 제한 전류.

* MOSFET (금속-산화물-세미 컨덕터 필드-효과 트랜지스터)는 전압 제어 반도체 장치이며 전자 부품의 범주에 속하며 , 소스 사이의 전류 흐름을 조절하고 게이트 터미널에 전압을 적용하여 소스 사이의 전류 흐름을 조절합니다. 핵심 구조는 금속 게이트 , 절연 산화물 층 (일반적으로 sio₂) 및 반도체 채널 로 구성됩니다 . 주요 기능으로는 높은 입력 임피던스, 낮은 구동 전력 및 빠른 스위칭 속도가 포함됩니다.