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PTW90N20 200V N- 채널 전력 MOSFET
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PTW90N20 200V N- 채널 전력 MOSFET

최소 주문량:1

제품 설명
제품 속성

모형PTW90N20

공급 유형원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료데이터 시트, 사진

VDSS200V

ID94A

RDS (on), 타이핑20mΩ

Ciss6280pf

작동 온도-55 ~ 150 ℃

Device PackageTO-3P

포장 및 배송
200V N- 채널 MOSFET
Power MOSFET -PTW90N20
(* MOSFET (금속-산화물-세미 컨덕터 필드-효과 트랜지스터)는 전압 제어 반도체 장치이며 전자 부품의 범주에 속하며 , 소스 사이의 전류 흐름을 조절하여 전압을 게이트 터미널에 적용함으로써).

기술 하이라이트 :

  • 고급 독점 평면 프로세스 기술

  • 낮은 저항 : RDS (on) = 20mΩ (typ.) @ vgs = 10v

  • 게이트 전하가 낮 으면 스위칭 손실이 줄어 듭니다

  • 빠른 복구 바디 다이오드 (개선 된 효율)

대상 응용 프로그램 :

  • 브러시리스 DC (BLDC) 모터 컨트롤러

  • 파워 인버터

  • DC-DC 변환기

  • 무정전 전원 공급 장치를위한 DC-AC 인버터 (UPS)

  • 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP) 및 모터 제어 시스템

PTW90N20 TO-3P
절대 최대 등급
Symbol Parameter PTW90N20 Unit
VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V
VGSS Gate-to-Source Voltage ±20
ID Continuous Drain Current 94 A
ID @ Tc =100 Continuous Drain Current @ Tc=100 70
IDM Pulsed Drain Current at VGS=10V 380
EAS Single Pulse Avalanche Energy 2800 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns
PD Power Dissipation 580 W
Derating Factor above 25 3.8 W/
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
              300              
260
TJ& TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 ~150
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