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고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNB20N60
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고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNB20N60

고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNB20N60

최소 주문량:1

제품 설명
제품 속성

모형LNB20N60

공급 유형원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료데이터 시트, 사진

VDSS600V

ID20A

RDS (on), Max0.45Ω

Ciss2960pf

장치 패키지TO-247

Operating Temperature-55 to +150°C

포장 및 배송
고전압 N- 채널 MOSFET LNB20N60
제품 프로필
고급 평면 VDMOS 아키텍처를 사용 하여이 Power MOSFET 은 초저 RD (ON), 우수한 스위칭 속도 및 강력한 눈사태 에너지 기능을 특징으로하는 고성능 장치를 제공합니다.
( 평면 VDMOS는 배수 (하단)에서 소스 (상단)로의 수직 전류 흐름을 특징으로하는 평면 기술을 사용하여 제작 된 전력 MOSFET의 유형입니다 . 주요 특성은 도포 펀트 (예 : 붕소 및 인)의 이중 확산을 통한 채널 영역의 형성이며, 채널 길이 및 고해상도 전압의 정확한 제어를 가능하게합니다.
주요 기능
초 저장 RDS (on)
게이트 하전 (유형 Q G = 63.7 NC)
UIS (Undamped Inductive Switching) 견고성에 대해 100% 테스트
ROHS 환경 표준을 준수합니다
응용 프로그램
PFC (Power Factor Correction) 시스템
스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP) 애플리케이션
ED 드라이버 회로

TO-247
Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

600

V

Continuous drain current         

( TC  = 25°C )

( TC  = 100°C )

ID

 

20

12.5

 

A

A

Pulsed drain current 1)

IDM

80

A

Gate-Source voltage

VGSS

±30

V

Avalanche energy, single pulse 2)

EAS

845

mJ

Peak diode recovery dv/dt 3)

dv/dt

5

V/ns

Power Dissipation   

TO-220F ( TC  = 25°C )     

Derate above 25°C

 

 

PD

 

 

45

0.36

 

 

W

W/°C

Power Dissipation

TO-247/TO-220 ( TC  = 25°C ) 

Derate above 25°C

 

250

2

 

W

W/°C

Operating junction and storage temperature range

TJ, TSTG

-55 to +150

°C

Continuous diode forward current

IS

20

A

Diode pulse current

IS,pulse

80

A

뜨거운 제품
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