고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNA20N50W

최소 주문량:1

제품 속성

모형: LNA20N50W

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료: 사진, 데이터 시트

VDSS: 500V

ID: 22A

RDS(on),max: 0.29Ω

Ciss: 2915pF

Device Package: TO-3P

Operating Temperature: -55 to +150°C

포장 및 배송



고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNA20N50W



전원 반도체 장치

고전압 N- 채널 전력 MOSFET LNA20N50W

설명

이 Power MOSFET은 고급 평면 VDMOS 제조 기술을 사용하여 저항성이 낮고 스위칭 효율성이 높아지고 눈사태가 높습니다.

특징

◆ 초 저항성 (RDS (on))

◆ 낮은 게이트 전하 (Typ. Q G = 58 NC)

◆ 100% UIS 테스트

◆ ROHS 준수

응용 프로그램

◆ 전력 계수 보정

◆ 고효율 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	500	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	22 14	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	88	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1201	mJ
Power Dissipation ( TC = 25°C )	PD	321	W
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	22	A
Diode pulse current	IS,pulse	88	A