Guangdong Kinwill Electronic Co., Ltd
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> IGBT 단일 튜브> NCE30TH60BPN 600V 30A 트렌치 FS II 빠른 IGBT
NCE30TH60BPN 600V 30A 트렌치 FS II 빠른 IGBT
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최소 주문량:1

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제품 설명
제품 속성

모형: NCE30TH60BPN

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료: 데이터 시트, 사진

VCES: 600V

IC(TC=25 °C): 60A

IC(TC=100 °C): 30A

ICpuls: 90A

If (tc = 100 ° C): 15a

Ifm: 45A

Vce (sat) (v)@vge = 15v, 25 ℃ Typ: 1.7

Vce (sat) (v)@vge = 15v, 25 ℃ Max: 1.9

TJ: -55 ~ +175 ° C

장치 패키지: to-3pnt

포장 및 배송
NCE30TH60BPN 600V 30A 트렌치 FS II 빠른 IGBT
반도체 이산 장치 - IGBT 단일 튜브
일반적인 설명 :
NCE의 독점적 트렌치 게이트 필드 스톱 (TFS) 아키텍처 및 2 세대 필드 스톱 (FS II) 기술로 설계된 600V 트렌치 FS II IGBT 시리즈는 업계 최고의 전도 효율성, 초고속 스위칭 성능 및 고급 전력 애플리케이션을위한 단순화 된 병렬 구성을 제공합니다.
주요 기능
Trench Trench FSII 기술 오퍼링
⚫ 초대형 온 상태 전압 (VCE (SAT) Typ. 1.2V)
⚫ 고주파 스위칭 기능 (FSW 최대 100kHz)
VCE (SAT)의 양의 온도 계수
⚫ 향상된 모듈 설계를위한 타이트 매개 변수 분포
⚫ 온도 보상 스위칭 동작으로 견고한 눈사태 성능
일반적인 응용 프로그램
⚫ 에어컨
⚫ 인버터
⚫ 모터 드라이브
NCE25TD120BTNCE TO-3PNT
IGBT 단일 튜브 (또는 이산 IGBT)
단일 IGBT 칩 (종종 프리 휠링 다이오드)을 격리 된 하우징에 포장하는 전력 반도체 장치.

주요 특성 :

  • 내부 드라이버가없는 하나의 IGBT 장치 만 포함합니다.

  • 외부 게이트 드라이버, 방열판 및 보호 회로가 필요합니다.

  • 설계 유연성을위한 표준화 된 패키지 (예 : TO-247, TO-220).
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