qinwei 600V 30A MUR3060P 빠른 복구 다이오드

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모형: MUR3060P(QINWEI)

상표: qinwei

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상

참고 자료: 데이터 시트, 사진

VRRM: 600V

IF(AV): 30A

VF(IF=30A,TC=25℃)Max: 1.7V

IFSM: 300A

TRR (IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR ＝ 0.25A) 최대: 55ns

Tj: 150℃

Package: TO-247-2L

포장 및 배송

반도체 장치

매우 빠른 복구 다이오드

특징

* 리버스 누출 전류가 낮습니다

* 저전력 소비, 고효율

* 높은 신뢰성

* ROHS 준수 제품

응용 프로그램

* 전력 계수 조정기 (PFC)

* 스위칭 모드 전원 공급 장치 (SMP)

* 기타 전자 회로

패키지 및 개요

TO-247-2L

최대 등급 (TC = 25 ℃)

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 125°C) Per Diode Per Device	IF(AV)	15 30	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	200	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

전기 특성

Parameter	Symbol	Max	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 15A, TC = 25°C @ IF = 15A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	3 200	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	45	ns

FRD ( Fast Recovery Diode )는 전자 구성 요소의 범주에 속하는 고속 스위칭 응용 분야를 위해 특별히 설계된 반도체 다이오드의 한 유형입니다. 그 핵심 특성은 일반적으로 나노 초 범위에서 마이크로 초에 매우 짧은 역 복구 시간입니다. 전방 바이어스에서 반전 바이어스로 전환 할 때 전류 흐름이 빠르게 절단되어 스위칭 손실과 전자기 간섭 (EMI)이 크게 줄어 듭니다. 이 특성은 스위치 모드 전원 공급 장치, 인버터 및 모터 드라이브 회로와 같은 고주파 회로에 적합합니다.