홈페이지> 제품 리스트> 반도체 디스크 장치> 빠른 복구 다이오드> Qinwei MUR2060C 600V 20A를 가진 빠른 복구 다이오드
Qinwei MUR2060C 600V 20A를 가진 빠른 복구 다이오드
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최소 주문량:1

제품 설명
제품 속성

모형MUR2060C(QINWEI)

상표qinwei

공급 유형원래 제조업체, ODM, 대리점, 다른, 소매상

참고 자료사진, 데이터 시트

VRRM600V

IF(AV)20A

Vf (if = 20a, Tc = 25 ℃) Max1.65V

IFSM200A

TRR (IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A) 최대50ns

Tj150°C

PackageTO-220-2L

포장 및 배송
반도체 장치 - 개별 장치
600V 20A 빠른 복구 다이오드
특징
* 리버스 누출 전류가 낮습니다
* 저전력 소비, 고효율
* 초-쇼트 역 복구 시간
* 높은 신뢰성
* 전방 전압 강하
응용 프로그램
* 전력 계수 조정기 (PFC)
* 스위칭 모드 전원 공급 장치 (SMP)
* 산업 제어 시스템
* 기타 전자 회로
패키지 및 개요
TO-220-2L
                         
Diode TO-220F-2L
 
MUR2060C TO-220-2L
최대 등급 (TC = 25 ℃)
Parameter Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM

VRWM
VR
600 V
Average Rectified Forward Current IF(AV) 20 A
Surge non repetitive forward current
   (tp = 8.3 ms sinusoidal)
IFSM 200 A
Storage Temperature Range Tstg -55~+150
Operating Junction Temperature TJ 150
전기 특성
Parameter Symbol Max Unit
 Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ IF = 20A, TC = 25°C
@ IF = 20A, TC = 125°C
VF                          1.65
1.50
V
 Instantaneous Reverse Current (Note 1)
@ Rated DC Voltage, TC = 25°C
@ Rated DC Voltage, TC = 125°C
IR
 
2
150
uA
Maximum Reverse Recovery Time
 IF=0.5A, IR= 1.0A,irr0.25A
TRR 50 ns
FRD ( Fast Recovery Diode )는 전자 구성 요소의 범주에 속하는 고속 스위칭 응용 분야를 위해 특별히 설계된 반도체 다이오드의 한 유형입니다. 그 핵심 특성은 일반적으로 나노 초 범위에서 마이크로 초에 매우 짧은 역 복구 시간입니다. 전방 바이어스에서 반전 바이어스로 전환 할 때 전류 흐름이 빠르게 절단되어 스위칭 손실과 전자기 간섭 (EMI)이 크게 줄어 듭니다. 이 특성은 스위치 모드 전원 공급 장치, 인버터 및 모터 드라이브 회로와 같은 고주파 회로에 적합합니다.       
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