홈페이지> 제품 리스트> 반도체 디스크 장치> 빠른 복구 다이오드> Qinwei 고성능 600V 빠른 복구 다이오드 MUR3060PT
Qinwei 고성능 600V 빠른 복구 다이오드 MUR3060PT
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Qinwei 고성능 600V 빠른 복구 다이오드 MUR3060PT

최소 주문량:1

제품 설명
제품 속성

모형MUR3060PT(QINWEI)

상표qinwei

공급 유형원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상, 다른

참고 자료데이터 시트, 사진

VRRM600V

IF(AV)30A

VF(IF=15A,TC=25℃)Max1.65V

IFSM150A

Trr (if = 0.5a, Ir = 1.0a, IRR = 0.25a) 유형45ns

Tj150℃

PackageTO-247

포장 및 배송
반도체 이산 장치
30A 600V 빠른 복구 다이오드 -MUR3060PT
특징
* 리버스 누출 전류가 낮습니다
* 저전력 소비, 고효율
*  높은 신뢰성
* ROHS 준수 제품
응용 프로그램
* 스위치 모드 전원 공급 장치
* 인버터/주파수 변환기
* 자동차 전자 제품
* 기타 전자 회로
패키지 및 개요
TO-247
MUR3060PT Package
최대 등급 ( tc = 25 ℃ ←)
Parameter Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM

VRWM
VR
600 V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC = 125°C) Per Diode
                                        Per Device
IF(AV)
15
     30    
A
Surge non repetitive forward current
   (tp = 8.3 ms sinusoidal)
IFSM 150 A
Storage Temperature Range Tstg -55~+150
Operating Junction Temperature TJ 150
전기 특성
Parameter Symbol Value(max) Unit
 Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ IF = 15A, TC = 25°C
@ IF = 15A, TC = 125°C
VF                         1.65
1.50
V
 Instantaneous Reverse Current (Note 1)
@ Rated DC Voltage, TC = 25°C
@ Rated DC Voltage, TC = 125°C
IR                               3
200
uA
Maximum Reverse Recovery Time
 IF=0.5A, IR= 1.0A,irr0.25A
TRR 45 ns
FRD ( Fast Recovery Diode )는 전자 구성 요소의 범주에 속하는 고속 스위칭 응용 분야를 위해 특별히 설계된 반도체 다이오드의 한 유형입니다. 그 핵심 특성은 일반적으로 나노 초 범위에서 마이크로 초에 매우 짧은 역 복구 시간입니다. 전방 바이어스에서 반전 바이어스로 전환 할 때 전류 흐름이 빠르게 절단되어 스위칭 손실과 전자기 간섭 (EMI)이 크게 줄어 듭니다. 이 특성은 스위치 모드 전원 공급 장치, 용접 전원 , 인버터 및 모터 드라이브 회로 와 같은 고주파 회로에 적합합니다 .
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